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創毅推40納米TD-LTE終端基帶芯片WarpDrive5000
2011-09-29 13:13:00 來源: 賽迪網  暫無網友評論
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  【賽迪網訊】9月29日消息,近日,創毅正式推出兼容3GPP R9版本的40nm工藝 WarpDrive 5000芯片。該款芯片支持TD-LTE FDD/TDD共模,採用40納米工藝,兼容3GPP LTE 標準 (Release-9),採用超低功耗設計,支持多種上下行配比及同頻、異頻測量和切換,支持CAT4速率等級,下行高達150Mbps,值得一提的是該款產品是全球第一款支持先進的雙流波束賦形TM8傳輸技術的芯片。

  早在2007 年創毅就啟動了TD-LTE 終端基帶芯片研發項目。2010 年4 月創毅成功推出全球首枚TD-LTE 終端芯片與終端數據卡,並服務於2010 年上海世博會。2011年5月創毅入選由工信部組織的“6+1”城市TD-LTE 規模技術試驗網測試及建設,並在廣州,杭州,廈門,南京,深圳,與多家系統廠商展開測試。同時在GCF認證測試中與羅德,安奈特等國際廠商取得業內領先的技術成果,並在深圳大運會中配合系統廠商成功展開4G業務演示。

  目前創毅視訊已經三次流片成功TD-LTE芯片,並通過中移動研究院及工信部電信研究院的各項測試,成為國內LTE芯片廠商的領跑者。

  隨著商用化進程的加速,TD-LTE得到國際上廣泛支持,將在印度,日本,俄羅斯,沙特等國家順利開展,目前全球已有超過200家運營商明確了LTE商用戰略,今年年底之前,將有73個LTE網絡進入商用/試商用階段,LTE終端種類也已達到100款之多,涵蓋數據卡、平板電腦,智慧手機等。




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